
ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો પર લેસર માર્કિંગ
પીસીબી સર્કિટ બોર્ડ
ફાઇબર લેસર માર્કિંગ મશીનો પીસીબી સપાટી પર ચોક્કસ રીતે કેન્દ્રિત ઉચ્ચ-ઊર્જા લેસર બીમનો ઉપયોગ કરે છે. ગરમીની અસર ધાતુ અથવા કોટિંગ સ્તરોને બાષ્પીભવન કરે છે અથવા અબ્લેટ કરે છે, બારીક પેટર્ન, ટેક્સ્ટ કોતરે છે અથવા ઉચ્ચ ચોકસાઇ સાથે વધારાના કોટિંગ્સને દૂર કરે છે, જે તેને જટિલ સર્કિટ અને નાના-વિસ્તારના નિશાનો માટે આદર્શ બનાવે છે.
સંપર્ક વિનાની પ્રક્રિયા તરીકે, લેસર માર્કિંગ યાંત્રિક ઘસારાને દૂર કરે છે, PCB સપાટીને સાચવે છે. વધુમાં, તેને કોઈ રાસાયણિક એચિંગ સોલ્યુશનની જરૂર નથી, જે પર્યાવરણને અનુકૂળ અને કાર્યક્ષમ ઉત્પાદન પ્રક્રિયા સુનિશ્ચિત કરે છે.


SD મેમરી કાર્ડ
ફાઇબર લેસર માર્કિંગ મશીનો SD કાર્ડની સપાટી પર ઉચ્ચ-ઊર્જાવાળા લેસર બીમ પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરે છે, જેનાથી રંગમાં ફેરફાર (જેમ કે ઓક્સિડેશન અથવા થર્મલ વિઘટન) થાય છે અથવા ગરમીની અસરો દ્વારા સપાટીની રચનામાં ફેરફાર થાય છે, જેનાથી નિશાનો દૃશ્યમાન બને છે.
આ પ્રક્રિયા ઉચ્ચ માર્કિંગ ચોકસાઇ અને ટકાઉપણું સુનિશ્ચિત કરે છે, ઘસારો અથવા દૂર થવાથી બચાવે છે, જે તેને લાંબા ગાળાના ઉપયોગ અને ઉચ્ચ-વિશ્વસનીયતા સંગ્રહ ઉપકરણ ઓળખ માટે આદર્શ બનાવે છે.

કમ્પ્યુટર મેમરી મોડ્યુલ (RAM)
CO₂ લેસર માર્કિંગ મશીનો મેમરી મોડ્યુલ સપાટી પર નિશાનો બનાવવા માટે 10.6μm ઇન્ફ્રારેડ લેસર બીમનો ઉપયોગ કરે છે. જ્યારે PCB પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરવામાં આવે છે, ત્યારે ઉચ્ચ-ઊર્જા ગરમી અસર સ્થાનિક રીતે સામગ્રીને ગરમ કરે છે, ઓક્સિડાઇઝ કરે છે અથવા વિઘટિત કરે છે, જેના પરિણામે રંગ બદલાય છે જે કાયમી નિશાન બનાવે છે.
સંપર્ક વિનાની પ્રક્રિયા તરીકે, લેસર માર્કિંગ મેમરી મોડ્યુલના વિદ્યુત પ્રદર્શન અથવા ડેટા સ્ટોરેજ ક્ષમતાઓને અસર કરતું નથી. કેન્દ્રિત ગરમી સપાટી પર રહે છે, જે આંતરિક ચિપ્સ અથવા સર્કિટ પર કોઈ અસર ન થાય તેની ખાતરી કરે છે, ઉત્પાદનની અખંડિતતા અને વિશ્વસનીયતા જાળવી રાખે છે.
પેકેજ્ડ ચિપ
યુવી લેસર માર્કિંગ મશીનો ઠંડા પ્રકાશ સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરીને ઇપોક્સી રેઝિન-એન્કેપ્સ્યુલેટેડ ચિપ્સ પર માર્કિંગ લાગુ કરે છે, જે ન્યૂનતમ ગરમીની અસર સાથે ઉચ્ચ-ચોકસાઇ માર્કિંગને સક્ષમ કરે છે. આ ચિપ અને આસપાસના માળખાને થર્મલ નુકસાન અટકાવે છે, સલામત માર્કિંગ પ્રક્રિયા અને સામગ્રીની અખંડિતતા સુનિશ્ચિત કરે છે.
ઉચ્ચ-ઊર્જા સાંદ્રતા સાથે, યુવી લેસરો ઇપોક્સી રેઝિનની સપાટીને ચોક્કસ રીતે દૂર કરે છે, જેનાથી તીક્ષ્ણ અને ટકાઉ નિશાનો બને છે. આ પેકેજિંગ સ્થિરતા અને ઉત્પાદન ગુણવત્તા જાળવી રાખીને ચિપ ટ્રેસેબિલિટીમાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે.

ટર્મિનલ બ્લોક્સ
PA (પોલિમાઇડ, સામાન્ય રીતે નાયલોન) તેના ઉત્તમ વસ્ત્રો પ્રતિકાર, રાસાયણિક પ્રતિકાર, ઉચ્ચ યાંત્રિક શક્તિ અને વિદ્યુત ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મોને કારણે ઇલેક્ટ્રોનિક, ઓટોમોટિવ અને ઔદ્યોગિક ટર્મિનલ બ્લોક્સમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.
ફાઇબર લેસર માર્કિંગ સામાન્ય રીતે ટૂંકા-તરંગલંબાઇ, ઉચ્ચ-ઊર્જા-ઘનતાવાળા લેસર બીમ (દા.ત., 1064nm) નો ઉપયોગ કરે છે. જ્યારે PA સપાટી પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરવામાં આવે છે, ત્યારે કેન્દ્રિત ઊર્જા થર્મલ પ્રતિક્રિયા શરૂ કરે છે, જેના કારણે સામગ્રીમાં રહેલા કાર્બન તત્વો ઓક્સિડાઇઝ થાય છે અને કાળા કાર્બનાઇઝ્ડ સ્તર બનાવે છે. આ પ્રક્રિયા કાર્બનિક ઘટકોનું વિઘટન કરે છે, ભેજ અને અસ્થિર પદાર્થોને દૂર કરે છે, અને કાર્બન-સમૃદ્ધ ઘેરા નિશાન પાછળ છોડી દે છે, જે PA સામગ્રી સામે ઉચ્ચ વિપરીતતા અને વાંચનક્ષમતા સુનિશ્ચિત કરે છે.


ટર્મિનલ-પ્રકાર ઓપ્ટોકપ્લર
યુવી લેસર માર્કિંગ કાર્બનાઇઝેશન અને થર્મલ ડિકમ્પોઝન દ્વારા ઓપ્ટોકપ્લર હાઉસિંગ પર કાયમી અને ખૂબ જ દૃશ્યમાન નિશાન બનાવે છે. આ પ્રક્રિયા ઉચ્ચ ચોકસાઇ, મજબૂત કોન્ટ્રાસ્ટ અને ઉત્તમ ટકાઉપણું સુનિશ્ચિત કરે છે. યુવી લેસર માર્કિંગનો ઉપયોગ ટર્મિનલ-પ્રકારના ઓપ્ટોકપ્લર હાઉસિંગ પર કાયમી ઓળખ, સીરીયલ નંબર અથવા કંપની લોગો માટે વ્યાપકપણે થાય છે, ખાસ કરીને ઔદ્યોગિક અને ઇલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશનોમાં, લાંબા સમય સુધી ચાલતી સ્પષ્ટતા અને સ્થિરતા સુનિશ્ચિત કરે છે.

